<P>致密氮化硅陶瓷-概述<BR>本公司引進高科技氮化硅陶瓷制造技術的基礎上按照國家標準生產(chǎn)的致密氮化硅陶瓷-,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術（得到理想的致密氮化硅陶瓷-坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫燒結獲得高密度、高強度氮化硅陶瓷制品?？蓮V泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術的發(fā)展,致密氮化硅陶瓷-等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應用面在不斷擴大。</P>
<P><IMG src=""><BR>致密氮化硅陶瓷-特點<BR>1、工藝優(yōu)良:致密氮化硅陶瓷-采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術，經(jīng)高溫燒結具有高強度，硬度，致密度。固體無模成型工藝
1、選區(qū)激光燒結法
選區(qū)激光燒結法以堆積在工作平臺上的陶瓷粉體為原料，用高能CO2激光器從陶瓷粉體上掃描，將選定區(qū)內(nèi)的陶瓷粉體燒結以做出部件的每一個層得到終成型件。
目前，研究者用該方法研究了SiO2、氮化硅、Al2O3、PZT壓電陶瓷件等陶瓷材料成型。<BR>2、性能穩(wěn)定:致密氮化硅陶瓷-具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。氮化硅燒結推動力
燒結體之所以能夠形成 ,是因為表面積很高的粉末具有較高的表面能,同時由于粉末形成—— 粉 (磨 )碎時使顆粒的表面及內(nèi)部產(chǎn)生缺陷 ,故系統(tǒng)的能量是很高的。依熱力學可知 ,所有體系均有使系統(tǒng)本身能量降低的趨勢 ,即自發(fā)向降低表面能的方向進行,故燒結推動力即是體系能量 (主要是表面能 )的降低。燒結后能量降低是由于晶界能取代了表面能,很明顯 ,粉末表面能與晶界能相差越大 ,越容易燒結。對 氮 化 硅 而 言 , 其 本 身 清 潔 時 表 面 能 可 達0. 0018KJ/m2 ,但是氮化硅細粉在空氣中極易被氧污染 ,結果使表面能大為降低。另外 ,因氮化硅為共價鍵為主的材料,原子之間有強烈的方向性而使燒結的晶界能增高 ,致使氮化硅燒結推動力下降。<BR>3、應用廣泛：致密氮化硅陶瓷-可廣泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產(chǎn)品的零部件。高純氮化硅粉體生產(chǎn)簡單流程
原料：高純硅粉，高純氮氣(純度>99.99%)，去離子水 設備：高溫常壓臥式氣氛爐，立式球磨機，普通混料機，普通鄂式破碎機，干燥設備。
終產(chǎn)品：高純氮化硅粉
生產(chǎn)簡單流程：
（1） 高純氮化硅粉裝入臥式氣氛爐，通入氮氣，通約數(shù)小時，開始升溫，升到一千多度開始保溫，保溫數(shù)小時之后，關閉閥門，關閉氮氣。繼續(xù)保溫數(shù)小時，出爐。上述過程保持常壓。
（2） 保溫結束，降溫至室溫，打開爐蓋，取出氮化硅塊，用普通鄂式破碎機破碎至20－60目。
（3） 將20－60目氮化硅粉，加入球磨機，再加入等質(zhì)量的水，球磨數(shù)小時，分離得到更細的氮化硅粉，放入干燥設備烘干，包裝。 上述生產(chǎn)過程，原料均為環(huán)境友好材料，產(chǎn)品也為普通陶瓷產(chǎn)品為無害產(chǎn)品。向環(huán)境中排放主要為少量多余高純氮氣，由于氮氣是大氣主要組成部分，對環(huán)境。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的致密氮化硅陶瓷-產(chǎn)品優(yōu)勢<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實行全過程質(zhì)量監(jiān)控，細致入微，檢測！<BR>價格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>致密氮化硅陶瓷-實拍圖<BR>致密氮化硅陶瓷-選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊和選型標準一般是按照材料的性能和應用來分類。<BR>致密氮化硅陶瓷-氮化硅（氮化硅）是重要的陶瓷結構材料，具有密度和熱膨脹系數(shù)小、硬度大、彈性模量高以及熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性和電絕緣性好等特點，此外，它還耐腐蝕、抗氧化，具有表面摩擦系數(shù)小等優(yōu)點，廣泛應用于冶金，化工，機械，航空，航天及能源等領域。
一、氮化硅微粉的制備方法
1、硅粉直接氮化法
該方法采用化學純的硅粉（分析純：95%以上）在NH3，N2+H2或N2氣氛中直接與氮反應實現(xiàn)，其反應方程式如下：
硅粉直接氮化合成氮化硅微細粉的優(yōu)點是工藝流程簡單，成本低。缺點是該方法反應慢。需較高的反應溫度和較長的反應時間，制備的氮化硅粒徑分布較寬，需要進一步經(jīng)過粉碎、磨細和純化才能達到質(zhì)量要求。
2、SiO2還原氮化法
將SiO2的細粉與碳粉混合后，通過熱還原生成SiO，然后SiO再被氮化生成塊狀的氮化硅?？偟幕瘜W反應式為：
SiO2還原氮化法的特點是原料來源豐富，反應產(chǎn)物是疏松粉末，與硅粉氮化產(chǎn)物不需要進行粉碎處理，從而避免了雜質(zhì)的重新引入，所以用該法制得氮化硅粉末粒型規(guī)整，粒度分布窄。
3、液相法
液相法的化學反應式如下：
該方法關鍵在于制備純的硅亞胺。SiCl4和NH3為放熱放映，常溫下很容易反應。所以工藝上要求控制反應速度和除凈副產(chǎn)物。采用這種方法生產(chǎn)的氮化硅具有純度高、粒徑微細而且均勻，所以發(fā)展很快。日本UBE公司用此法早己在1992就建成了年產(chǎn)300t的生產(chǎn)線。這是當時世界上大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅粉末的生產(chǎn)線，它的生產(chǎn)能力相當于1990年日本國內(nèi)氮化硅的總消耗量。
4、氣相法
SiCl4與NH3氣體可以直接在高溫下反應生產(chǎn)氮化硅，副產(chǎn)物是NH4Cl,其在高溫下很快升華分解?；瘜W反應式為：
目前，氣相法主要包括激光誘導氣相沉積和等離子氣相合成。由于是氣相反應，反應時氣流易控制產(chǎn)物純度高、超細。
（1）激光誘導氣相沉積
激光誘導氣相沉積法利用反應氣體分子對特定波長激光束的吸收而產(chǎn)生熱解或化學反應，經(jīng)過核生長形成微粉，整個過程基本上還是一個熱化學反應和形核生長的過程。
該方法可以制備均勻超細、低顆粒尺寸小于10nm的粉體。同時，由于反應中心區(qū)域與反應器之間被原料氣隔離，污染小，能夠獲得穩(wěn)定質(zhì)量的粉體。該方法關鍵在于選用對激光束波長產(chǎn)生強吸收的反應氣體作為反應源。
（2）等離子氣相合成法
等離子氣相合成法是制備氮化硅粉體的主要手段之一。它具有高溫、急劇升溫和快速冷卻的特點，是制備超細陶瓷粉體的常用手段。該方法由于升溫迅速，反應物在等離子焰內(nèi)滯留時間短，易于獲得均勻、尺寸小的氮化硅粉體。等離子體法顯著的特點，就是容易實現(xiàn)批量生產(chǎn)。<BR>致密氮化硅陶瓷-氮化硅陶瓷是一種燒結時不收縮的無機材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮氣中及１２００℃的高溫下進行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應生成氮化硅，這時整個坯體已經(jīng)具有一定的強度。然后在１３５０℃～１４５０℃的高溫爐中進行第二次氮化，反應成氮化硅。用熱壓燒結法可制得達到理論密度９９％的氮化硅。氮化硅的強度很高，尤其是熱壓氮化硅，是世界上堅硬的物質(zhì)之一。它極耐高溫，強度一直可以維持到１２００℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到１９００℃才會分解，并有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和３０％以下的燒堿溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種電絕緣材料。氮化硅陶瓷可做燃氣輪機的燃燒室、機械密封環(huán)、輸送鋁液的電磁泵的管道及閥門、性模具、鋼水分離環(huán)等。氮化硅摩擦系數(shù)小的特點特別適合制作為高溫軸承使用，其工作溫度可達１２００℃，比普通合金軸承的工作溫度提高２.５倍，而工作速度是普通軸承的１０倍。利用氮化硅陶瓷很好的電絕緣性和耐急冷急熱性可以用來做電熱塞，用它進行汽車點火可使發(fā)動機起動時間大大縮短，并能在寒冷天氣迅速啟動汽車。氮化硅陶瓷還有良好的透微波性能、介電性以及高溫強度，作為導彈和飛機的雷達天線罩，可在６個馬赫甚至７個馬赫的飛行速度下使用。 </P>
<P>致密氮化硅陶瓷-訂購注意事項<BR>1、此產(chǎn)品不支持網(wǎng)上訂購，由于氮化硅陶瓷產(chǎn)品大多數(shù)屬于非標定制件，如您需要訂購致密氮化硅陶瓷-產(chǎn)品請隨時致電聯(lián)系我們，我們一定會盡心盡力為您提供的服務。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數(shù)量③需要告知應用場合及對產(chǎn)品的技術要求④使用溫度⑤使用介質(zhì)⑥其他要注意的事項。<BR>3、如有特殊要求時請在訂購產(chǎn)品時注明。<BR>4、當使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復雜時，請盡量提供設計圖紙。</P>
<P>致密氮化硅陶瓷-使用注意事項<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應注意：<BR>氮化硅（氮化硅）是重要的陶瓷結構材料，具有密度和熱膨脹系數(shù)小、硬度大、彈性模量高以及熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性和電絕緣性好等特點，此外，它還耐腐蝕、抗氧化，具有表面摩擦系數(shù)小等優(yōu)點，廣泛應用于冶金，化工，機械，航空，航天及能源等領域。
一、氮化硅微粉的制備方法
1、硅粉直接氮化法
該方法采用化學純的硅粉（分析純：95%以上）在NH3，N2+H2或N2氣氛中直接與氮反應實現(xiàn)，其反應方程式如下：
硅粉直接氮化合成氮化硅微細粉的優(yōu)點是工藝流程簡單，成本低。缺點是該方法反應慢。需較高的反應溫度和較長的反應時間，制備的氮化硅粒徑分布較寬，需要進一步經(jīng)過粉碎、磨細和純化才能達到質(zhì)量要求。
2、SiO2還原氮化法
將SiO2的細粉與碳粉混合后，通過熱還原生成SiO，然后SiO再被氮化生成塊狀的氮化硅?？偟幕瘜W反應式為：
SiO2還原氮化法的特點是原料來源豐富，反應產(chǎn)物是疏松粉末，與硅粉氮化產(chǎn)物不需要進行粉碎處理，從而避免了雜質(zhì)的重新引入，所以用該法制得氮化硅粉末粒型規(guī)整，粒度分布窄。
3、液相法
液相法的化學反應式如下：
該方法關鍵在于制備純的硅亞胺。SiCl4和NH3為放熱放映，常溫下很容易反應。所以工藝上要求控制反應速度和除凈副產(chǎn)物。采用這種方法生產(chǎn)的氮化硅具有純度高、粒徑微細而且均勻，所以發(fā)展很快。日本UBE公司用此法早己在1992就建成了年產(chǎn)300t的生產(chǎn)線。這是當時世界上大規(guī)模生產(chǎn)氮化硅粉末的生產(chǎn)線，它的生產(chǎn)能力相當于1990年日本國內(nèi)氮化硅的總消耗量。
4、氣相法
SiCl4與NH3氣體可以直接在高溫下反應生產(chǎn)氮化硅，副產(chǎn)物是NH4Cl,其在高溫下很快升華分解?；瘜W反應式為：
目前，氣相法主要包括激光誘導氣相沉積和等離子氣相合成。由于是氣相反應，反應時氣流易控制產(chǎn)物純度高、超細。
（1）激光誘導氣相沉積
激光誘導氣相沉積法利用反應氣體分子對特定波長激光束的吸收而產(chǎn)生熱解或化學反應，經(jīng)過核生長形成微粉，整個過程基本上還是一個熱化學反應和形核生長的過程。
該方法可以制備均勻超細、低顆粒尺寸小于10nm的粉體。同時，由于反應中心區(qū)域與反應器之間被原料氣隔離，污染小，能夠獲得穩(wěn)定質(zhì)量的粉體。該方法關鍵在于選用對激光束波長產(chǎn)生強吸收的反應氣體作為反應源。
（2）等離子氣相合成法
等離子氣相合成法是制備氮化硅粉體的主要手段之一。它具有高溫、急劇升溫和快速冷卻的特點，是制備超細陶瓷粉體的常用手段。該方法由于升溫迅速，反應物在等離子焰內(nèi)滯留時間短，易于獲得均勻、尺寸小的氮化硅粉體。等離子體法顯著的特點，就是容易實現(xiàn)批量生產(chǎn)。 <BR></P>
