產(chǎn)品別名 |
地坪拋光液 |
面向地區(qū) |
全國 |
CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。
拋光劑拋光的金剛石拋光微粉作研磨粉，再配上特的研磨介質(zhì)。金剛石懸浮與化學作用一體，使金剛石微粉處于均勻懸浮狀。拋光介質(zhì)使用更充分，噴涂更均勻。廣泛用于各種金屬、陶瓷、光學玻璃、精密儀器，寶石及儀表等材料的表面高光潔度的研磨及拋光。
拋光劑用于各制造領(lǐng)域生產(chǎn)加工如：航空業(yè)、鑄造業(yè)、鋼鐵業(yè)、醫(yī)學業(yè)、軌道業(yè)，并且用于國家各科學院和各種試驗及研發(fā)。拋光劑的作用主要是除某些非金屬夾雜物、鑄鐵中的石墨相、粉末冶金材料中的孔隙等特殊組織外，經(jīng)拋光后的試樣磨面，用浸蝕劑進行“浸蝕”，以獲得（或加強）圖象襯度后才能在顯微鏡下進行觀察。
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