產(chǎn)品別名 |
原生多晶 |
面向地區(qū) |
全國 |
具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下反應(yīng)(氯化),再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅,為了提高原料利用率和環(huán)境友好,在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng),加工成SiHCl3 ,再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中,使硅烷裂解并在晶種上沉積,從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產(chǎn)電子級(jí)晶體硅,也可以生產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅。
美國MEMC公司采用流化床技術(shù)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn),其以NaAlH4 與SiF4 為原料制備硅烷,反應(yīng)式如下:SiF4+NaAlH4=SiH4+NaAlF4。硅烷經(jīng)純化后在流化床式分解爐中進(jìn)行分解,反應(yīng)溫度為730℃左右,制得尺寸為1000微米的粒狀多晶硅。該法能耗低,粒狀多晶硅生產(chǎn)分解電耗為12kW·h/kg左右,約為改良西門子法的1/10,且一次轉(zhuǎn)化率高達(dá)98%,但是產(chǎn)物中存在大量微米尺度內(nèi)的粉塵,且粒狀多晶硅表面積大,易被污染,產(chǎn)品含氫量高,須進(jìn)行脫氫處理。