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功率管發(fā)熱 關于這個問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。 功率管的功耗分成兩部分，開關損耗和導通損耗。 要注意，大多數(shù)場合特別是LED市電驅(qū)動應用，開關損害要遠大于導通損耗。 開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管，因為內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。
頻率與導通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時，要想想是不是頻率選擇的有點高。 想辦法降低頻率吧!不過要注意，當頻率降低時，為了得到相同的負載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導致電感進入飽和區(qū)域。
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