多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機多同時可支持16張不同分辨率的發(fā)射卡,單機高可以支持30720*1080 LED點陣。多臺機器級聯(lián)可以實現(xiàn)無限幅度的LED點陣實時動態(tài)顯示。 可以任意配置發(fā)射卡進行LED點陣堆砌，可以自由選擇灰度級數(shù)?？梢匀我庠O(shè)置單個LED發(fā)射卡的輸出內(nèi)容點陣。

超大場景顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現(xiàn)功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據(jù)用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿屏模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器，在整個LED屏體上滿屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時，畫面將出現(xiàn)自動拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應(yīng)用于背景影像內(nèi)容的顯示； B．等比模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器時，根據(jù)輸入信號的比例格式，等比例在整個LED屏體上。畫面等比顯示時， LED屏體的上下或者左右會因為沒有內(nèi)容顯示而曾現(xiàn)黑色。該模式往往應(yīng)用于人像顯示或者領(lǐng)導(dǎo)講話的場景內(nèi)容。 C．全屏等比模式 輸入的信號通過LED圖像拼接處理器時，根據(jù)輸入信號的比例以及屏體的顯示點陣分布情況，將輸入的內(nèi)容采用像素抓取技術(shù)，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個LED屏體上放大顯示。該模式應(yīng)用于對現(xiàn)場情景需要展現(xiàn)的內(nèi)容；

早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F(xiàn)在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅(qū)動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實現(xiàn)每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.