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早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅(qū)動(dòng)電流為20 毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明,相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
近幾年,白光LED的研發(fā)成果:2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen,流明),他們均使用1mm大小的芯片并驅(qū)動(dòng)于350mA下;美國(guó)LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)每瓦161lm/W.可見(jiàn),白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.
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