A4950ELJTR-T特性和好處
　　?低RDS()輸出
　　?過載保護(hù)((OCP)
　　?電動(dòng)機(jī)短的保護(hù)
　　?運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致短的接地保護(hù)
　　?運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致短電池保護(hù)
　　?低功耗待機(jī)模式
　　?可調(diào)脈寬調(diào)制電流限制
　　?同步整流
　　?內(nèi)部欠壓鎖定(UVLO)
　　?Crossover-current保護(hù)
　　?A4950K AEC-Q100 1級合格
　　?商業(yè)溫度等級(A4950E: -40°C到85°C)
　　?汽車溫度等級(A4950K: -40°C到125°C)
　描述
　　封裝 SOP8為脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制的直流
　　汽車,A4950峰值輸出電流3.5±的能力
　　和操作電壓40 V。
　　輸入終端提供用于控制和速度
　　與外部應(yīng)用PWM直流電機(jī)的方向控制
　　信號。內(nèi)部同步整流控制電路
　　在PWM操作提供更低的功耗。
　　內(nèi)部電路保護(hù)包括過電流保護(hù),
　　電機(jī)導(dǎo)致短地面或供應(yīng)、熱關(guān)機(jī)
　　磁滯、欠壓監(jiān)測VBB和crossovercurrent保護(hù)。
　　高環(huán)境工作溫度的應(yīng)用程序,一個(gè)
　　汽車級設(shè)備提供(A4950K)。K級
　　設(shè)備是在擴(kuò)展的溫度和電壓測試
　　范圍,以確保遵從性在汽車或工業(yè)
　　應(yīng)用程序。
　　有四腳SOICN A4950中提供一個(gè)低調(diào)的包
　　與接觸熱墊(后綴LJ)領(lǐng)導(dǎo)(Pb)免費(fèi)的,
　　的錫
　電特性有效溫度范圍在TJ = 25°C和E版K溫度范圍
　　版本在TJ = -40°C到150°C, VBB = 8 - 40 V,除非另有說明
　設(shè)備操作
　　A4950設(shè)計(jì)直流電機(jī)操作。輸出驅(qū)動(dòng)
　　都是low-RDS(上),n溝道DMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)部同步整流驅(qū)動(dòng)程序功能來降低功耗。的
　　電流輸出全橋是監(jiān)管與固定的停工時(shí)間
　　脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制電路。三機(jī)一體和IN2
　　輸入允許二線控制的橋梁。
　　保護(hù)內(nèi)部電路包括熱關(guān)閉,防止短路負(fù)載,或反對輸出短褲
　　或供應(yīng)。通過保持欠壓鎖定防止損害
　　輸出到司機(jī)有足夠的電壓正常運(yùn)行。
　　待機(jī)模式
　　低功耗待機(jī)模式被激活,當(dāng)輸入(點(diǎn))
　　針低超過1毫秒。低功耗待機(jī)模式
　　禁用的內(nèi)部電路,包括電荷泵
　　和監(jiān)管機(jī)構(gòu)。當(dāng)A4950出來備用
　　模式下,應(yīng)該允許電荷泵達(dá)到監(jiān)管
　　電壓(200年的大延遲
同步整流
　　當(dāng)一個(gè)PWM觸發(fā)非周期的內(nèi)部固定關(guān)井時(shí)間
　　周期,負(fù)載電流將再通行。A4950同步整流特性取決于適當(dāng)?shù)钠陂gDMOSFETs
　　電流衰減,有效短褲的體二極管
　　低RDS(上)驅(qū)動(dòng)程序。這大大降低了功耗。
　　當(dāng)檢測到零電流水平,同步整流
　　關(guān)閉以防止負(fù)載電流的反轉(zhuǎn)。
　　混合衰減操作
　　在混合衰減模式運(yùn)營的橋梁。他指的是
　　較低的面板如下圖,達(dá)到跳變點(diǎn),
　　設(shè)備進(jìn)入快速衰變模式固定的關(guān)井時(shí)間的50%
　　時(shí)期。在這快腐爛部分設(shè)備切換到慢
　　衰變模式的其余部分停工時(shí)間。在轉(zhuǎn)換
　　從快速衰減緩慢衰減,司機(jī)被迫的
　　交叉延誤,tCOD。這一特性被添加到防止shootthrough橋。在這個(gè)“死時(shí)間”部分,
　感覺銷(LSS)
　　為了使用PWM電流控制,低值電阻
　　LSS銷和地面之間放置用于電流傳感。小化ground-trace紅外感應(yīng)輸出下降
　　當(dāng)前水平,當(dāng)前傳感電阻應(yīng)該有一個(gè)立的地面返回星地面點(diǎn)。該跟蹤應(yīng)該
　　盡可能的短。低值電阻,紅外下降
　　PCB可以顯著,應(yīng)考慮。
　　在選擇檢測電阻的值一定不要
　　超過了大電壓的LSS銷±500 mV
　　大負(fù)載。在過流事件,這種評級可能
　　在短時(shí)間內(nèi)超過。
　　地面
　　一顆星地面應(yīng)位于盡可能接近A4950。
　　銅地平面直接暴露在熱墊
　　設(shè)備的星地面點(diǎn)的位置。的
　　接觸墊可以連接到地面。
　　布局
　　PCB應(yīng)該有厚的地平面。為優(yōu)

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